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J-GLOBAL ID：200902221129403304   整理番号：09A1054285

塑性変形により調製したSiとGeの半球凹形ウエハの系統的研究

Systematic studies of Si and Ge hemispherical concave wafers prepared by plastic deformation

著者 (3件)： NAKAJIMA Kazuo (Inst. for Materials Res. (IMR), Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  FUJIWARA Kozo (Inst. for Materials Res. (IMR), Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  MORISHITA Kohei (Inst. for Materials Res. (IMR), Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 311  号： 21  ページ： 4587-4592  発行年： 2009年10月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiとGeの単結晶および多結晶ウエハを用いる塑性変形により,SiとGeの半球凹形ウエハを調製できる。高温塑性変形によりSiとGeの半球凹形ウエハが得られる変形領域を系統的に研究した。良好な形状のSi凹形ウエハが得られる変形領域を(100),(111)Siと多結晶Si.について研究した。結晶対称性により(100)ウエハよりもSi(111)結晶ウエハがより容易に完全半球形状に変形できることを見出した。0.5mm厚さのSi(111)結晶ウエハを使用すると25mmの小さい半径のSi半球ウエハを完全に変形できる。(100)ウエハよりもGe(111)ウエハを用いて完全形状のGe半球凹形ウエハがより容易に得られる。これらの結果によると,Geウエハの変形挙動は,基準加圧温度でのSiウエハのそれに非常に類似している。SiとGeの半球ウエハについて半径と負荷が共に大きくなるとより厚いSiとGeウエハを用いて完全な形状の半球ウエハを得ることができる。加圧温度と半球半径が大きくなると,成形ウエハの転位密度が著しく小さくなる。従って,SiとGeの成形ウエハは十分な品質を持ち,SiとGeのX線モノクロメータに使用されている様な種々の型のレンズとして使用できる高い可能性を持っていると示唆される。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *塑性変形 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  *ウエハ【IC】 ,  *半球 ,  *凹形 ,  結晶方位 ,  半径 ,  温度依存性

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 塑性変形 ,  調製 ,  Si ,  Ge ,  半球 ,  凹形 ,  ウエハ ,  系統 ,  研究