研究者
J-GLOBAL ID:200901076003379650   更新日: 2024年08月31日

藤原 航三

フジワラ コウゾウ | Fujiwara Kozo
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (2件): http://www.imr.tohoku.ac.jp/ja/about/divisions-and-centers/research-division/02.htmlhttp://www.imr.tohoku.ac.jp/en/about/divisions-and-centers/research-division/02.html
研究分野 (2件): 金属材料物性 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (1件): 融液成長. その場観察. シリコン. 太陽電池. 結晶方位制御. 結晶粒界. 混晶半導体. 化合物半導体
競争的資金等の研究課題 (21件):
  • 2024 - 2028 フォトン・カウンティング機能による顎骨の多元分析を可能とした歯科用CTの開発
  • 2021 - 2025 その場観察法による各種半導体材料の固液界面不安定化現象の解明と高温物性値の決定
  • 2020 - 2024 フォトン・カウンティング機能を搭載した新しい組織分析型歯科用CTの開発
  • 2017 - 2020 温度場の直接観察による固液界面ダイナミクスの解明
  • 2016 - 2018 その場観察法によるSi多結晶の融液成長メカニズムの解明(国際共同研究強化)
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論文 (214件):
  • Fan Yang, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara, Thierry Duffar. Dislocation interaction with vicinally faceted groove at grain boundary in multi-crystalline silicon. Journal of Crystal Growth. 2024. 639. 127722-127722
  • Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara. Misorientation increase of small-angle grain boundaries during directional solidification of silicon. Journal of Crystal Growth. 2024. 127822-127822
  • Shashank Shekhar Mishra, Lu Chung Chuang, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara, Thierry Duffar. Vicinal (111) surfaces at Si solid-liquid interface during unidirectional solidification. Scripta Materialia. 2024. 247
  • Shashank Shekhar Mishra, Lu Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Thierry Duffar, Kozo Fujiwara. In situ study of growth kinetics of {1 0 0} and {1 1 0} crystal/melt interfaces during unidirectional solidification of silicon. Journal of Crystal Growth. 2023. 627
  • Ferrimagnetic half Heusler alloys for waste heat recovery application- First principle study using different exchange-correlation functionals. 2023
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MISC (60件):
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特許 (10件):
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書籍 (3件):
  • Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol. I
    2014
  • 太陽電池の基礎と応用
    培風館 2010
  • Crystal Growth of Si for Solar Cells
    Springer 2009
講演・口頭発表等 (25件):
  • Instability of crystal/melt interface of Si and Si1-xGex
    (3rd International Symporium on "Modeling of Crystal Growth Processes and Devices" (MCGPD-2023) 2023)
  • In-situ observation of crystal/melt interface morphology during directional solidification of semicondustor materials
    (5th International Workshop on Advanced Functional Nanomaterials (IWAN-5, 2023) 2023)
  • In-situ observations of crystal growth behaviors of silicon during solidification
    (2022 international conferences on the science and technology of devices and materials(SSDM2022) 2022)
  • Morphology of Crystals in Melt Growth Processes
    (The 4th Symposium for The Core Research Cluster for Materials Science andthe 3rd Symposium on International Joint Graduate Program in Materials Science 2020)
  • Siの固液界面現象に及ぼす結晶粒界の影響
    (応用物理学会秋季学術講演会 2020)
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学位 (1件):
  • 博士(工学) (九州大学)
委員歴 (3件):
  • 2021/04 - 現在 日本学術振興会 R032 産業イノベーションのための結晶成長委員会 運営委員
  • 2010/04 - 現在 日本結晶成長学会 理事
  • 2010/04 - 現在 日本結晶成長学会 理事
受賞 (6件):
  • 2020/04 - 文部科学省 文部科学大臣表彰科学技術賞(研究部門) 太陽電池用シリコン多結晶インゴットの高品質化の研究
  • 2013/05/31 - (公財)本多記念会 第34回本多記念研究奨励賞 Siの融液成長メカニズムの解明および太陽電池用Si多結晶インゴットの成長技術開発
  • 2011/11/03 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会論文賞
  • 2006/07/10 - 本多記念会 原田研究奨励賞
  • 2005/08/17 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会奨励賞
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所属学会 (3件):
鉄鋼協会 ,  日本結晶成長学会 ,  日本金属学会
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