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J-GLOBAL ID：200902221628552485   整理番号：08A0626998

ゲート絶縁体にSi₃N₄を用いてチャネル反転したエンハンスメントモードGaAs金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ

Demonstration of enhancement-mode GaAs metal-insulator-semiconductor field effect transistor with channel inversion using Si₃N₄ as gate dielectric

著者 (5件)： ZHENG J. F. (Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd, Santa Clara, California 95052, USA) ,  TSAI W. (Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd, Santa Clara, California 95052, USA) ,  LI W. P. (Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., 15 Prospect Street, New Haven, Connecticut 06520, USA) ,  WANG X. W. (Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., 15 Prospect Street, New Haven, Connecticut 06520, USA) ,  MA T. P. (Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., 15 Prospect Street, New Haven, Connecticut 06520, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 23  ページ： 232904  発行年： 2008年06月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート絶縁体として酸化物換算厚みが約6nmの分子及び原子(MAD)堆積をしたSi₃N₄によるnチャネルのエンハンスメントモードGaAs金属-絶縁体-金属電界効果トランジスタ(MISFETs)について報告する。MISキャパシタ構造にチャネル反転特性を保存したgate-firstプロセス[W.P.Li,X.W.Wang,Y.X.Liu,及びT.P.Ma,Appl.Phys.Lett.90,193503(2007)]を用いてGaAsベースのMISFETsを作製した。準静的C-V(容量-電圧)法により測定したGaAs MISキャパシタのチャネル反転特性は温度800°Cまでの全作製プロセスを通して十分保存されていた。100nmVと小さなC-Vヒステリシスが得られた。このSi₃N₄ゲートのGaAs MMISFETsはチャネル反転のエンハンスメントモード,ゲート変調I_d-V_d伝送特性をはっきりと実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MISFET ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁材料 ,  窒化ケイ素 ,  超薄膜 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  チャネル ,  反転層 ,  熱安定性 ,  MIS構造 ,  薄膜コンデンサ ,  容量電圧特性 ,  ヒステリシス ,  ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  絶縁体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート絶縁体 ,  Si3N4 ,  チャネル ,  反転 ,  エンハンスメントモード ,  GaAs ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ