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J-GLOBAL ID:200902222078886760   整理番号:06A0447566

分子ビームエピタキシにより成長した(CdS/ZnSe)/BeTe量子井戸におけるλ≒1.49~3.4μmサブバンド間吸収

λ~1.49-3.4 μm intersubband absorptions in (CdS/ZnSe)/BeTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
著者 (4件):
資料名:
巻: 88  号: 22  ページ: 221915-221915-3  発行年: 2006年05月29日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 

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