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J-GLOBAL ID：200902222600823080   整理番号：08A1201540

ガラス基板上の分子線堆積GZO薄膜のドーピングプロファイルとナノ構造性質

Doping Profiles and Nanostructural Properties of Molecular-Beam-Deposited GZO Thin Films on Glass Substrates

著者 (11件)： MURANAKA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  UEHARA T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  SAKANO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  NABETANI Y. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  AKITSU T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  KATO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  MATSUMOTO T. (Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN) ,  HAGIHARA S. (Yamanashi Industrial Technol. Center, Yamanashi, JPN) ,  ABE O. (Yamanashi Industrial Technol. Center, Yamanashi, JPN) ,  HIRAKI S. (Nakaya Corp., Yamanashi, JPN) ,  FUJIKAWA Y. (Nakaya Corp., Yamanashi, JPN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 53  号： 5 Pt.2  ページ： 2897-2900  発行年： 2008年11月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ励起分子線堆積を用いてガラス基板上に種々なGa/Zn供給比でGaドープ酸化亜鉛(GZO)薄膜を調製した。Gaドーピングプロファイルとナノメートル規模範囲における構造間の相関を明確に示すためにHall,X線回折(XRD),そして透過型電子顕微法(TEM)測定により薄膜を特性評価した。低いGa/Zn供給比のときキャリアー密度は供給比の増大とともに系統的に増大した。ある範囲のGa/Zn供給比でキャリアー密度の飽和を観測した。TEMにより低ドーピングのGZO薄膜では低角傾斜結晶粒界をもつ一様な結晶粒を観測した。高濃度ドープGZOでは高角傾斜結晶粒界を観測した。選択領域電子線回折により高濃度ドープGZOにおけるこのような非一様性を解析した。

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *酸化亜鉛 ,  ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  基板 ,  ガラス ,  X線回折 ,  Hall効果 ,  電子顕微鏡観察 ,  *キャリア密度 ,  *ナノ構造

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガラス基板 ,  分子線 ,  堆積 ,  GZO ,  薄膜 ,  ドーピングプロファイル ,  構造性質