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J-GLOBAL ID：200902222941434520   整理番号：08A0464609

ZnTeの水素による表面処理

Surface Treatment with Hydrogen of ZnTe

著者 (8件)： 共佳 (北海道工大 大学院) ,  一戸善弘 (北海道工大 大学院) ,  金森真広 (北海道工大 大学院) ,  今井和明 (北海道工大) ,  澤田孝幸 (北海道工大) ,  鈴木和彦 (北海道工大) ,  木村信行 (北海道工大) ,  木村尚仁 (北海道工大)
資料名： 北海道工業大学研究紀要  (Memoirs of the Hokkaido Institute of Technology)
号： 36  ページ： 259-262  発行年： 2008年03月24日 
JST資料番号： Y0585A  ISSN： 0385-0862  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ZnTe基板上に良質なホモエピタクシャル成長を実現するための,ZnTe基板表面処理の方法を提案した。この方法は,MBE成長室内において,通電させたW線フィラメントへの接触によりクラッキングした水素をZnTe基板に照射するものである。本研究において,提案したこの方法の効果を実証し,さらに,その効果を向上させるために,条件を変えて処理を行った。RHEED及びHRXRD測定の結果から,水素処理はZnTe基板表面処理として効果があり,処理時間及びWフィラメントに流す電流を増加させることにより,効果が上がることが分かった。

シソーラス用語： *テルル化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ホモエピタクシー ,  *表面処理 ,  *水素 ,  *タングステン ,  フィラメント ,  RHEED ,  X線回折 ,  時間依存性 ,  *基板
準シソーラス用語： サーマルクラッキング ,  通電加熱 ,  XRD ,  電流依存性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnTe ,  水素 ,  表面処理