文献
J-GLOBAL ID:200902223047203520   整理番号:03A0343283

過冷溶融シリコンからの板状結晶成長における分裂についての新しい基準

Novel criterion for splitting of plate-like crystal growing in undercooled silicon melts.
著者 (2件):
資料名:
巻: 51  号:ページ: 2297-2303  発行年: 2003年05月07日 
JST資料番号: A0316A  ISSN: 1359-6454  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電磁あるいは静電レビテーション法により無容器状態で過冷したS...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0343283&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0316A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る