文献

J-GLOBAL ID：200902223273453440   整理番号：07A0230233

Siを基本とするナノスケールの電界効果トランジスタ中の個々のアクセプタによる伝導度の変調

Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors

著者 (6件)： ONO Y. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  NISHIGUCHI K. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  FUJIWARA A. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  YAMAGUCHI H. (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  INOKAWA H. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  TAKAHASHI Y. (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo, Hokkaido 060-0814, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 90  号： 10  ページ： 102106-102106-3  発行年： 2007年03月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素を少量ドープしたナノスケールのp-チャネル電界効果トラ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0230233&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ナノスケール ,  電界効果トランジスタ ,  アクセプタ ,  伝導度 ,  変調