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J-GLOBAL ID：200902223326350746   整理番号：09A0561510

KrFスキャナによる0.13μm-BiCMOSエミッタウィンドウリソグラフィー

0.13μm BiCMOS emitter window lithography with KrF scanners

著者 (3件)： CHOU Li-Heng (National Semiconductor Corp, Maine, USA) ,  PATEL Neil S. (National Semiconductor Corp, Maine, USA) ,  MCCARTHY Patrick M. (National Semiconductor Corp, Maine, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7274  号： Pt.2  ページ： 72742N.1-72742N.8  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.13μmエミッタウィンドウパターンのプロセスウィンドウを改善するために,KrFスキャナと幾つかの超解像技術を利用した方法を示した。これらの超解像技術には減衰位相シフトマスク(aPSM),モデルベース光近接効果補正(OPC),多焦点露光技術が含まれる。使用したウエハには5700ÅのKrFレジストと660Åの有機裏面反射防止膜(BARC)を被覆した。一回露光法と比べ,多焦点露光法と超解像技術の組合せによりエミッタウィンドウパターンのプロセスウィンドウが有意にひろがった。

シソーラス用語： エキシマレーザ ,  *フォトリソグラフィー ,  *許容範囲 ,  半導体プロセス ,  フォトマスク ,  超解像 ,  補正 ,  反射防止膜 ,  フォトレジスト ,  *多重露光 ,  エミッタ【半導体】
準シソーラス用語： KrFレーザ ,  *プロセスウィンドウ ,  減衰位相シフトマスク ,  超解像技術 ,  光近接効果補正 ,  裏面反射防止膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： スキャナ ,  BiCMOS