レオタキシアル成長と熱酸化で作製した純及びTi添加ガス応答性Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜の形態と電気特性

CHEN CHIN-C; CHEN CHIU-C

文献

J-GLOBAL ID：200902223394081362 整理番号：04A0336696

レオタキシアル成長と熱酸化で作製した純及びTi添加ガス応答性Ga₂O₃膜の形態と電気特性

Morphology and electrical properties of pure and Ti-doped gas-sensitive Ga₂O₃ film prepared by rheotaxial growth and thermal oxidation

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巻： 19 号： 4 ページ： 1105-1117 発行年： 2004年04月
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題RGTO法は真空中,120°Cの基板にGa液滴を滴下後,酸...

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その他の固体デバイス , 酸化物薄膜

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レオタキシアル成長と熱酸化で作製した純及びTi添加ガス応答性Ga2O3膜の形態と電気特性

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