ゲート誘電体として原子層堆積Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>をもつGaN金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ

YE P D; YANG B; NG K K; BUDE J; WILK G D; HALDER S; HWANG J C M

文献

J-GLOBAL ID：200902223474645526 整理番号：05A0267337

ゲート誘電体として原子層堆積Al₂O₃をもつGaN金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ

GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor with atomic layer deposited Al₂O₃ as gate dielectric

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巻： 86 号： 6 ページ： 063501.1-063501.3 発行年： 2005年02月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Al₂O₃をゲー...

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トランジスタ , 酸化物薄膜 , 半導体薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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ゲート誘電体として原子層堆積Al2O3をもつGaN金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ

ゲート誘電体として原子層堆積Al₂O₃をもつGaN金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ