X線トポグラフィーによる4H-SiC基板からエピタキシャル層に伝搬する転位の直接観測

OHNO T; YAMAGUCHI H; KURODA S; KOJIMA K; SUZUKI T; ARAI K

文献

J-GLOBAL ID：200902223551682529 整理番号：04A0047140

X線トポグラフィーによる4H-SiC基板からエピタキシャル層に伝搬する転位の直接観測

Direct observation of dislocations propagated from 4H-SiC substrate to epitaxial layer by X-ray topography

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巻： 260 号： 1/2 ページ： 209-216 発行年： 2004年01月02日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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4H-SiCエピタキシャル層と基板の反射トポグラフを,シンク...

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