研究者

J-GLOBAL ID：200901045289112768 更新日: 2022年09月29日

荒井和雄

アライカズオ | Arai Kazuo

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=K12764357
MISC (50件)：

Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Akio Takatsuka, Kazuo Arai, Tsutomu Yatsuo, Koji Yano, Masanobu Kasuga. 700-V 1.0-m Omega center dot cm(2) buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT). IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2006. 27. 11. 908-910
Kazutoshi Kojima, Satoshi Kuroda, Hajime Okumura, Kazuo Arai. Homoepitaxial growth on a 4H-SiC C-face substrate. CHEMICAL VAPOR DEPOSITION. 2006. 12. 8-9. 489-494
T Kato, S Nishizawa, H Yamaguchi, K Arai. In-situ observation of SiC bulk single crystal growth by XRD system. JOURNAL OF RARE EARTHS. 2006. 24. 2. 49-53
Investigation of in-grown dislocations in 4H-SiC epitaxial layer. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2006. 527-529. 147-152
KONDOH Junji, YATSUO Tsutomu, ISHII Itaru, ARAI Kazuo. Estimation of Converters with SiC Devices for Distribution Networks. 電気学会論文誌 D 産業応用部門誌. 2006. 126. 4. 480-488

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