文献

J-GLOBAL ID：200902223765058580   整理番号：05A1051639

格子整合GaInAs-GaAsSbによるタイプII型量子井戸を用いたInP上の長波長フォトダイオード

A Long-Wavelength Photodiode on InP Using Lattice-Matched GaInAs-GaAsSb Type-II Quantum Wells

著者 (4件)： SIDHU Rubin (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  DUAN Ning (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CAMPBELL Joe C. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  HOLMES Archie L.,Jr. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 17  号： 12  ページ： 2715-2717  発行年： 2005年12月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スタガード型バンドオフセットをとるタイプII型量子井戸(QW...

シソーラス用語： *フォトダイオード ,...
準シソーラス用語： タイプII型 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A1051639&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0721A") }}

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 格子整合 ,  GaInAs ,  GaAsSb ,  タイプ ,  量子井戸 ,  InP ,  長波 ,  フォトダイオード