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J-GLOBAL ID：200902223817535950   整理番号：08A0646244

電気2重層ゲーティングを持つNiOのp型電界効果トランジスタ

p-type field-effect transistor of NiO with electric double-layer gating

著者 (5件)： SHIMOTANI Hidekazu (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...) ,  SUZUKI Hirotaka (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...) ,  UENO Kazunori (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...) ,  KAWASAKI Masashi (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...) ,  IWASA Yoshihiro (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Japan Sci. and Technol. ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 24  ページ： 242107  発行年： 2008年06月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,電気2重層トランジスタは高いキャリア濃度の蓄積に対する,低動作電圧と低容量のために益々高い関心を集めつつある。1.6x10^-4cm²/Vsの電界効果移動度ならびに130のオン・オフ比を持ち,p型特性を示すNiO単結晶モット絶縁体を持つ電気2重層トランジスタを開発した。相対的に劣った素子性能にもかかわらず,今回の結果は,電気2重層トランジスタが通常のバンド絶縁体だけではなく,静電的ドーピングが大変興味があるモット絶縁体を用いても実現可能なことを明らかにする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *一酸化窒素 ,  *P型半導体 ,  *電気二重層 ,  Mott転移 ,  誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気2重層 ,  ゲーティング ,  NiO ,  電界効果トランジスタ