Si p+-i-n+フォトダイオードの高速応答の照射誘起劣化のパルスレーザー測定による研究

LAIRD J S; HIRAO T; ONODA S; ITOH H

文献

J-GLOBAL ID：200902223881395992 整理番号：04A0150765

Si p⁺-i-n⁺フォトダイオードの高速応答の照射誘起劣化のパルスレーザー測定による研究

Irradiation Induced Degradation of High-Speed Response of Si p⁺-i-n⁺ Photodiodes Studied by Pulsed Laser Measurements

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資料名：
巻： 50 号： 6,Pt.1 ページ： 2003-2010 発行年： 2003年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 発光素子

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