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J-GLOBAL ID：200902224016068680   整理番号：07A0589290

ゾル-ゲル堆積前駆体の硫化によるCu₂ZnSnS₄薄膜の作製

Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurizing sol-gel deposited precursors

著者 (3件)： TANAKA Kunihiko (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka-machi, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  MORITAKE Noriko (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka-machi, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  UCHIKI Hisao (Dep. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka-machi, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 91  号： 13  ページ： 1199-1201  発行年： 2007年08月15日 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnS<sub>4</sub...

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (4件)： 2-メトキシエタノール ,  モノエタノールアミン ,  酢酸亜鉛 ,  酢酸銅

タイトルに関連する用語 (7件)： ゾル-ゲル ,  堆積 ,  前駆体 ,  硫化 ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜 ,  作製