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J-GLOBAL ID：200902224024370876   整理番号：03A0552832

化学的気相成長法によるほぼ軸上の(0001)面における6H-SiCホモエピタクシー 第1部:3C-SiC介在物のない広域ホモエピタクシーに対するC/Si比の効果

Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part I: Effect of C/Si ratio on wide-area homoepitaxy without 3C-SiC inclusions

著者 (3件)： NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 256  号： 3/4  ページ： 341-346  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1500°Cで作動する水平低温壁化学的気相成長法による標記の微...

シソーラス用語： *化学蒸着 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 化学的気相成長法 ,  6H-SiC ,  ホモエピタクシー ,  1部 ,  3C-SiC ,  介在物 ,  広域 ,  SI比