研究者
J-GLOBAL ID:200901051394333311
更新日: 2020年08月25日
中村 俊一
ナカムラ シュンイチ | Nakamura Shunichi
所属機関・部署:
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 について
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職名:
産官学連携研究員
研究分野 (4件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件):
パワーデバイス
, エピタキシャル成長
, シリコンカーバイド
, power device
, epitaxial growth
, silicon carbide
競争的資金等の研究課題 (2件):
シリコンカーバイドの高品位エピタキシャル成長とパワーデバイスへの応用
Epitaxial growth of silicon carbide and application to power devices
MISC (11件):
S Nakamura, T Kimoto, H Matsunami. Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part II: Evolution of surface steps. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2003. 256. 3-4. 347-351
S Nakamura, T Kimoto, H Matsunami. Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part I: Effect of C/Si ratio on wide-area homoepitaxy without 3C-SiC inclusions. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2003. 256. 3-4. 341-346
M Miura, S Nakamura, J Suda, T Kimoto, H Matsunami. Fabrication of SiC lateral super junction diodes with multiple stacking p- and n-layers. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2003. 24. 5. 321-323
Shun-ichi Nakamura, Tsunenobu Kimoto, Hiroyuki Matsunami. Effect of C/Si ratio on spiral growth on 6H-SiC (0001) (jointly worked). Japanese Journal of Applied Physics. 2003. 42. 7B. L846-L848
S Nakamura, T Kimoto, H Matsunami. High-sensitivity analysis of Z(1) center concentration in 4H-SiC grown by horizontal cold-wall chemical vapor deposition. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 5A. 2987-2988
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学歴 (4件):
- 2002 京都大学 工学研究科 電子物性工学
- 2002 京都大学
- 1997 京都大学 工学部 電気工学第二
- 1997 京都大学
学位 (2件):
修士(工学) (京都大学)
博士(工学) (京都大学)
経歴 (2件):
2002 - 2003 京都高度技術研究所知的クラスタープロジェクト研究員
2003 - - 京都大学産官学連携研究員
所属学会 (2件):
応用物理学会
, Japan Society of Applied Physics
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