PLAD法によるワイドギャップ半導体エピタキシャル薄膜の作製  I.  ダイヤモンド薄膜

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J-GLOBAL ID：200902224183344517 整理番号：04A0343549

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巻： 51st 号： 2 ページ： 634 発行年： 2004年03月28日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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その他の無機化合物の薄膜 , 半導体薄膜

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