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J-GLOBAL ID：200902224240704347   整理番号：09A0192161

CuInGaSe₂薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ

A High-sensitivity Broadband Image Sensor using CuInGaSe₂ Thin Films

著者 (13件)： MATSUSHIMA Osamu (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  MIYAZAKI Kenichi (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  TAKAOKA Masaki (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  MAEKAWA Takuji (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  SHIRAGA Hiroaki (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  SEKIGUCHI Hiroshi (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  FUCHIKAMI Takaaki (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  MORIWAKE Masato (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  TAKASU Hidemi (Rohm Corp. Ltd., Kyoto, JPN) ,  ISHIZUKA Shogo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. & Technol., JPN) ,  SAKURAI Keiichiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. & Technol., JPN) ,  YAMADA Akimasa (National Inst. of Advanced Industrial Sci. & Technol., JPN) ,  NIKI Shigeru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. & Technol., JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 407(SDM2008 196-205)  ページ： 13-16  発行年： 2009年01月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は次世代太陽電池材料として優れた性能を持つ化合物半導体CuInGaSe2(CIGS)薄膜を使った新しいCMOSイメージセンサを開発した。このイメージセンサは量子効率及び感応波長帯域という観点から通常のSi CMOSイメージセンサよりも優れた特性を示す。これまで暗電流が大きい等の問題からCIGSのイメージセンサへの応用は困難と考えられてきた。我々は,CIGS薄膜形成技術を始めとする太陽電池技術と微細加工技術などのLSI技術を融合することにより,イメージセンサ実現に至った。本イメージセンサは有効画素数352×288画素(約10万画素)及び640×480画素(30万画素)で画素ピッチ10μm,400~1300nmの広帯域で高い感度を持っている。(著者抄録)

シソーラス用語： セレン化物 ,  銅化合物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  半導体薄膜 ,  高感度 ,  広帯域 ,  *イメージセンサ ,  暗電流 ,  フォトダイオード

分類 (1件)： 撮像・録画装置  (ND12032E)

引用文献 (5件)：

• BIGAS, M. Microelectronics Journal. 2006, 37, 433
• JOY, Tom. IEDM Proc., 2007. 2007, 1007
• CHANG, C. Y. Ulsi technology. 2000
• WALDFRIED, C. Electrochem. Solid State Lett. 2003, 6, G137
• ISHIZUKA, S. Solar Energy Materials ans Solar Cells. 2005, 87, 541

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  高感度 ,  広帯域 ,  イメージセンサ