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J-GLOBAL ID：200902224412287638   整理番号：08A0979151

4インチシリコン基板上の1.8kV以上の高いブレークダウン電圧を持つ高電力AlGaN/GaN HFETおよび電流コラプスの抑制

High power AlGaN/GaN HFET with a high breakdown voltage of over 1.8kV on 4 inch Si substrates and the suppression of current collapse

著者 (6件)： IKEDA Nariaki (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAYA Syuusuke (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  LI Jiang (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SATO Yoshihiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KATO Sadahiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIDA Seikoh (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 287-290  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HFETは,高い電子移動度と高いキャリア濃度を持ち,高速,大電流と高いブレークダウン電圧特性を有する。GaNエピタキシャル層を成長させる基板としては低コストなSi基板が適しているが,格子定数や熱膨張係数の差が大きいため,直接エピタキシャル成長させるのは難しかった。本研究では,4インチSi基板上にバッファ層を含めて6μmの厚いGaNエピタキシャル層を成長させた。ブレークダウン電圧と最大ドレイン電流は,それぞれ1.8kVと120Aを達成した。さらに,電流コラプス現象の抑制について考察した。オン抵抗は1.0kVまでの高いバイアスストレスであまり増加しなかった。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  キャリア移動度 ,  熱膨張係数 ,  格子定数 ,  エピタクシー ,  バッファ層 ,  ドレイン【半導体】 ,  オン抵抗 ,  電子移動度 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： *AlGaN ,  GaN ,  *HFET ,  エピタキシャル成長 ,  ドレイン電流 ,  *ブレークダウン電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン基板 ,  ブレークダウン電圧 ,  高電力 ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  電流コラプス