抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
狭線幅かつ低振幅雑音特性を有する,無変調出力型アセチレン周波数安定化半導体レーザについて報告する。今回用いたInP半導体レーザは,ブラッググレーティングが書き込まれた平面光導波路を組み合わせた外部共振器構造となっている。本レーザのアセチレン分子吸収線(500MHz)への周波数安定化においては,外部変調方式による周波数安定化回路を用いることでレーザ出力光の無変調化を実現している。周波数安定化実験の結果,本安定化レーザの周波数安定度(アラン偏差)は積分時間が1秒において2.3×10
-11,10
2秒において9.1×10
-12であった。またその発振線幅(3dB帯域幅)は約4kHz,RIN(Relative Intensity Noise)特性は-135dB/Hz以下であった。(著者抄録)