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J-GLOBAL ID：200902225627972931   整理番号：08A0441015

サイズ・密度制御バイオナノドット単層配列の作製と電荷注入評価

著者 (9件)： 山田聖人 (松下電器産業 先端研) ,  吉井重雄 (松下電器産業 先端研) ,  吉井重雄 (奈良先端科学技術大学院大) ,  熊谷慎也 (松下電器産業 先端研) ,  三浦篤志 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  山下一郎 (松下電器産業 先端研) ,  山下一郎 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1412  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *電荷 ,  キャリア注入 ,  *注入 ,  ゲート回路 ,  タンパク質 ,  フェリチン ,  化学蒸着 ,  MOS構造 ,  ナノドット ,  アポタンパク質
準シソーラス用語： *バイオナノドット ,  *電荷注入

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (7件)： サイズ ,  密度制御 ,  ナノドット ,  単層 ,  作製 ,  電荷注入 ,  評価