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J-GLOBAL ID：200902225903300284   整理番号：03A0863395

SiC基板上の相互コンダクタンスの大きいエンハンスメントモードAlGaN/GaN HEMT

High transconductance enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate

著者 (5件)： KUMAR V (Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA) ,  KULIEV A (Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA) ,  TANAKA T (Hitachi Cables Ltd., JPN) ,  OTOKI Y (Hitachi Cables Ltd., JPN) ,  ADESIDA I (Univ. Illinois at Urbana Champaign, IL, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 39  号： 24  ページ： 1758-1760  発行年： 2003年11月27日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,そ...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC基板 ,  相互コンダクタンス ,  エンハンスメントモード ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT