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J-GLOBAL ID：200902226092453200   整理番号：03A0395865

Sc₂O₃パッシベーションAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高3端子降伏電圧と出力電力

High three-terminal breakdown voltage and output power of Sc₂O₃ passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors.

著者 (9件)： LUO B (Univ. Florida, FL, USA) ,  MEHANDRU R (Univ. Florida, FL, USA) ,  GILA B P (Univ. Florida, FL, USA) ,  GOTTHOLD D (EMCORE, NJ, USA) ,  BIRKHAHN R (EMCORE, NJ, USA) ,  PERES B (EMCORE, NJ, USA) ,  FITCH R C (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  VIA D (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  CRESPO A (Air Force Res. Lab., OH, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 39  号： 10  ページ： 809-810  発行年： 2003年05月15日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,AlGaN/GaN・HEMTに対する有効な表面パッシベ...

シソーラス用語： *スカンジウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 高電子移動度トランジスタ ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Sc2O3 ,  パッシベーション ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  HEMT ,  降伏電圧 ,  出力電力