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J-GLOBAL ID：200902226447456567   整理番号：09A0644250

厚いバッファ層上のGaN品質の改善による4inシリコン上のAlGaN/GaN HEMTの降伏電圧向上

Breakdown Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs on 4-in Silicon by Improving the GaN Quality on Thick Buffer Layers

著者 (3件)： SELVARAJ Susai Lawrence (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SUZUE Takaaki (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 6  ページ： 587-589  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウエハ上に形成した2μm厚のi-GaN層と7μm厚のバッファ層から成る,9μm厚のクラックのないエピタキシャル層を用いて作製した,AlGaN/GaN HEMTの特性について述べた。この素子のL_g,W_g,L_gdは,それぞれ1.5,15,3μmであり,フィールドプレートは用いていない。この素子の最大ドレイン電流密度は625mA/mm,相互コンダクタンスは190mS/mm,三端子オフの降伏電圧は403Vであった。この降伏電圧は。フィールドプレートのない素子のこれまでの報告では最も高い。10μmのオーミックギャップの降伏電圧は,非常に高い1813Vであった。バッファ層厚の増加により,GaN層の転位密度が減少し,表面電極と基板間の電気抵抗が増加するので,高い降伏電圧を得ることができた。

シソーラス用語： 層厚 ,  バッファ層 ,  窒化ガリウム ,  改良 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  *HEMT ,  電圧 ,  品質改善 ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： 降伏電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バッファ層 ,  GaN ,  シリコン ,  AlGaN ,  HEMT ,  降伏電圧