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J-GLOBAL ID：200902226495399460   整理番号：09A0199398

有機塩θ-(BEDT-TTF)₂CsM(SCN)₄(M=Zn,Co,およびCo_0.7Zn_0.3)における電荷秩序化ギャップの電流密度依存性

Current-Density Dependence of the Charge-Ordering Gap in the Organic Salt θ-(BEDT-TTF)₂CsM(SCN)₄ (M=Zn, Co, and Co_0.7Zn_0.3)

著者 (11件)： SAWANO Fumiaki (Waseda Univ., Tokyo) ,  SUKO Tomohiro (Waseda Univ., Tokyo) ,  INADA Taichi S. (Waseda Univ., Tokyo) ,  TASAKI Shuichi (Waseda Univ., Tokyo) ,  TERASAKI Ichiro (Waseda Univ., Tokyo) ,  MORI Hatsumi (Univ. Tokyo, Chiba) ,  MORI Takehiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo) ,  NOGAMI Yoshio (Okayama Univ., Okayama) ,  IKEDA Naoshi (Okayama Univ., Okayama) ,  WATANABE Masashi (Tohoku Univ., Sendai) ,  NODA Yukio (Tohoku Univ., Sendai)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 78  号： 2  ページ： 024714.1-024714.5  発行年： 2009年02月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷秩序化有機塩θ-(BEDT-TTF)₂CsM(SCN)₄(M=Zn,Co,およびCo_0.7Zn_0.3の抵抗率と電流-電圧特性を測定し,分析した。4.3Kにおいて,すべての試料が巨大非線形伝導を見せ,c軸抵抗率は1V/cmの低い電場に対して10分の1へ外部電流によって大きく減少した。抵抗率の温度依存性は活性化則でうまく記述され,その活性化エネルギーは低電流極限では2meVと評価し,外部電流と共に線形に減少した。この活性化エネルギーとq₂=(0,k,1/2)付近のX線強度は電流密度へ同じ依存性を見せることが分った。この一致から,q₂で指数付けられる電荷秩序のエネルギーギャップはこの現象の秩序パラメータになることが強く示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電荷移動錯体 ,  セシウム錯体 ,  亜鉛化合物 ,  コバルト化合物 ,  チオシアン酸塩 ,  有機伝導体 ,  *電気抵抗率 ,  電流電圧特性 ,  非線形性 ,  温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  X線散乱 ,  電流密度 ,  *エネルギーギャップ ,  秩序パラメータ ,  オレフィン化合物 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： *電荷秩序化

分類 (1件)： 非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D)

物質索引 (1件)： BEDT-TTF

引用文献 (41件)：

• CALLEN, H. B. Thermodynamics and an Introduction to Thermostatistics. 1985, Chap.14
• TINKHAM, M. Introduction to Superconductivity. 1996, Chap.5
• GRUNER, G. Density Waves in Solids. 1994, Chap.10
• INAGAKI, K. J. Phys. Soc. Jpn. 2004, 73, 3364
• SAWANO, F. Nature. 2005, 437, 522

タイトルに関連する用語 (7件)： 塩 ,  BEDT-TTF ,  ScN ,  CO ,  電荷秩序化 ,  ギャップ ,  電流密度依存性