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J-GLOBAL ID：200902226556465541   整理番号：03A0310089

エピタキシャル(La_xY_1-x)₂O₃/Si(111)薄膜の結晶構造とその誘電特性

著者 (4件)： 神園剛 (大阪府大 大学院) ,  吉村武 (大阪府大 大学院) ,  藤村紀文 (大阪府大 大学院) ,  伊藤太一郎 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 2  ページ： 585  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,...
準シソーラス用語： 格子緩和

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分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  Si ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  誘電特性