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J-GLOBAL ID：200902226576621450   整理番号：08A0979121

1200Vトレンチフィールドストップ逆導電性IGBTsにおけるアノード設計変化

Anode Design Variation in 1200-V Trench Field-stop Reverse-conducting IGBTs

著者 (3件)： VOSS S. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  NIEDERNOSTHEIDE F.J. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  SCHULZE H.J. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 169-172  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソフトスイッチングアプリケーション用に高性能IGBTが使用されている。最も一般的な回路では,約25kHのスイッチング周波数で動作するブロッキング電圧1200Vが必要である。高効率化には非常に低い飽和電圧と低いスイッチング損失が適している。本稿では,埋込みフィールドストップ層と各種アノードエミッタ効率を持つ1200Vトレンチフィールドストップ逆導電性IGBTの解析を行った。誘導加熱調理器のような代表的アプリケーションの条件に対しては,フィールドストッププロファイルとIGBT厚みを最適化することにより,スイッチング特性を犠牲にすることなく,ターンオフ損失と飽和電圧を改善できる。埋込みストップ層を用いることによりpエミッタ中のアクセプタドーズとフィールドストップ層中のドナードーズを別々に調整してスイッチング特性を最適化できる。

シソーラス用語： *ソフトスイッチング ,  トレンチカット【加工】 ,  アノード ,  周波数 ,  *スイッチング損失 ,  埋込み【挿入】 ,  誘導加熱 ,  *IGBT ,  ターンオフ
準シソーラス用語： スイッチング周波数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 導電性 ,  アノード ,  設計