文献

J-GLOBAL ID：200902226820820940   整理番号：04A0746217

Si上のSiO₂超薄膜の厚さ測定に関する現状の批判的総括 V CCQMの先導研究結果

Critical review of the current status of thickness measurements for ultrathin SiO₂ on Si Part V: Results of a CCQM pilot study

著者 (9件)： SEAH M P (National Physical Lab., Middlesex, GBR) ,  BENSEBAA F (National Res. Council of Canada, ON, CAN) ,  VICKRIDGE I (Univ. Paris 6 et 7, Paris, FRA) ,  DANZEBRINK H (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Braunschweig, DEU) ,  KRUMREY M (Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Berlin-Charlottenburg, DEU) ,  GROSS T (Bundesanstalt fuer Materialforsch. und -pruefung (BAM), Berlin, DEU) ,  WENDLER E (Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU) ,  RHEINLAENDER B (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  AZUMA Y (AIST, Ibaraki, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 36  号： 9  ページ： 1269-1303  発行年： 2004年09月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウエハ((100)及び(111)面)表面の加熱酸化に...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0746217&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0709A") }}

分類 (3件)： 非金属化合物  (CD01070R) ,  物理分析一般  (CC03011F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiO2 ,  超薄膜 ,  厚さ測定 ,  現状 ,  研究