プラズマで酸窒化物化したHfおよびZr薄膜の熱安定性および化学結合構成の比較

LAI Yi-Sheng; LU C. H.; CHEN Li-Min; CHEN J. S.

文献

J-GLOBAL ID：200902227030731316 整理番号：05A0866084

プラズマで酸窒化物化したHfおよびZr薄膜の熱安定性および化学結合構成の比較

Comparison of Thermal Stability and Chemical Bonding Configurations of Plasma Oxynitrided Hf and Zr Thin Films

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巻： 152 号： 9 ページ： F146-F152 発行年： 2005年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOS構造の新規高k誘電体材料候補の性質の解明を目的として,...

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固-固界面 , 塩基,金属酸化物 , 固体デバイス材料

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