文献

J-GLOBAL ID：200902227069870755   整理番号：08A1224172

複合半導体Sc_1-xGa_xN合金の圧電係数を計算するための第一原理から導いた方法

A first-principles-derived method for computing the piezoelectric coefficients of complex semiconductor Sc_{1- x} Ga _x N alloys

著者 (4件)： ALSAAD A. (Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan) ,  AHMAD A. (Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan) ,  ALTA’ANI H. (Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan) ,  ALSHYAB R. (Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 403  号： 23-24  ページ： 4174-4181  発行年： 2008年12月15日 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接第一原理法及びKeatingの半実験原子価力場(VFF)法を使用して第一原理を基にした方法を発展させ,半導体ヘテロ構造及び合金の圧電係数e_ijを計算した。この方法を適用して原子配列及び組成が六方晶の秩序及び無秩序Sc_1-xGa_xN合金のe₃₃圧電係数に及ぼす影響を調べた。秩序構造に対する結果は局所密度近似(LDA)第一原理計算の結果と極めてよく一致した。結果は,原子秩序は圧電性に大きく影響し,Ga濃度の関数としての秩序及び無秩序Sc_1-xGa_xN合金のe₃₃はそれぞれ四次及び五次の多項式にフィットさせられることを明らかにした。ここでの結果はScN基板上に成長させたSc_1-xGa_xN合金及びヘテロ構造の品質改良に大きく貢献すると思われる。これらの影響の微視的源泉を詳しく議論し,説明した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *混晶半導体 ,  スカンジウム化合物 ,  窒化物 ,  圧電気 ,  六方晶系 ,  *力の場 ,  格子歪 ,  秩序無秩序転移
準シソーラス用語： *窒化スカンジウム ,  *圧電係数 ,  *第一原理計算 ,  局所密度近似 ,  *原子価力場

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  結晶中の局在電子構造  (BM02090U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 合金 ,  圧電係数 ,  計算 ,  第一原理