ロバストなHfO<sub>2</sub>に基づくRRAMの薄いリアクティブTiバッファ層を持つ低電力で高速のバイポーラスイッチング

LEE H.Y.; LEE H.Y.; CHEN P.S.; WU T.Y.; CHEN Y.S.; WANG C.C.; TZENG P.J.; LIN C.H.; CHEN F.; LIEN C.H.; TSAI M.-J.

文献

J-GLOBAL ID：200902227159201585 整理番号：09A0481028

ロバストなHfO₂に基づくRRAMの薄いリアクティブTiバッファ層を持つ低電力で高速のバイポーラスイッチング

Low Power and High Speed Bipolar Switching with A Thin Reactive Ti Buffer Layer in Robust HfO₂ Based RRAM

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資料名：
巻： 2008 Vol.1 ページ： 297-300 発行年： 2008年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

2元酸化膜に基づく抵抗メモリはその単純な構造によりフラッシュメモリに置き換わる可能性のある有望技術である。著者等は,薄いTiN電極を持つ新HfO₂に基づく抵抗メモリを提案した。これは0.18μmCMOS技術で全て集積したものである。キャパシター類似メモリセルの陽極側にリアクティブバッファ層として薄いTi層を使うことにより,次のような優れたメモリ性能を著者等のメモリ装置で実証した。1)測定誤差を考慮しても25μA以下の低動作電流である。また,運用電圧は~3Vまでの低動作電圧である。2)オン/オフ抵抗比はセル寸法に逆比例し,1000以上の高い値を示す。3)1T-1R形状で5nsの速いスイッチング速度を示した。4)10⁶サイクル以上の十分なスイッチング耐久性を持つ。5)200°Cで推定10年の高信頼データ記憶把持が可能である。更に,高歩留,高温200°Cでのロバストなメモリ性能,優れた拡張性,そして多段動作,更にSiベースのIC技術へのプロセス互換性という利点は次世代の不揮発性メモリへのその応用を約束するものである。

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半導体集積回路 , 記憶装置 , 酸化物薄膜

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ロバストなHfO2に基づくRRAMの薄いリアクティブTiバッファ層を持つ低電力で高速のバイポーラスイッチング

ロバストなHfO₂に基づくRRAMの薄いリアクティブTiバッファ層を持つ低電力で高速のバイポーラスイッチング