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J-GLOBAL ID：200902227446728101   整理番号：08A0818596

酸化けい素上でのゲルマニウムの横方向エピタキシャル成長

Lateral epitaxial growth of germanium on silicon oxide

著者 (9件)： CAMMILLERI V. D. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  YAM V. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  FOSSARD F. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  RENARD C. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  BOUCHIER D. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA) ,  FAZZINI P. F. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA) ,  ORTOLANI L. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA) ,  HOUDELLIER F. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA) ,  HYETCH M. (CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 4  ページ： 043110  発行年： 2008年07月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： けい素上での局所的な酸化を用いた,酸化けい素上でのゲルマニウムの横方向エピタキシャル全面成長のためのナノスケールけい素シードを生成するための方法を開発した。ゲルマニウム成長はけい素シード線から選択的に開始し,SiO₂層を濡らすことによって進行し粒界の形成なしで合体した。高分解能透過型電子顕微鏡法による解析は酸化けい素上で成長したGe層が完全な単結晶質で欠陥がないことを示した。唯一検出された欠陥はGe/Si界面に位置した。顕微鏡法画像の幾何学的相解析はGe層が完全に緩和され均一であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  酸化ケイ素 ,  基板 ,  表面反応 ,  *酸化 ,  規模 ,  種子 ,  電子顕微鏡観察 ,  *半導体薄膜 ,  *単結晶 ,  窒化ケイ素 ,  マスク ,  パターン形成 ,  *化学蒸着 ,  ナノスケール ,  局所酸化
準シソーラス用語： シード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化けい素 ,  ゲルマニウム ,  横方向 ,  エピタキシャル成長