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J-GLOBAL ID：200902227528615208   整理番号：09A0717590

高性能な屈曲性の有機電界効果トランジスタのデバイス移動度に及ぼす誘電率の影響

The effect of dielectric constant on device mobilities of high-performance, flexible organic field effect transistors

著者 (5件)： TAN H. S. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP) ,  MATHEWS N. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP) ,  CAHYADI T. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP) ,  ZHU F. R. (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  MHAISALKAR S. G. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 26  ページ： 263303  発行年： 2009年06月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能なペンタセン(μ_sat=6.3cm²/Vs)とポリ(3-ヘキシルチオフェン)(μ_sat=0.43cm²/Vs)電界効果トランジスタを屈曲性基板上に作製し,三層ゾル-ゲルによるシリカゲート誘電体を用いて低動作電圧(<-5V)を達成した。さらにプラズマ処理を変えて。誘電体の誘電率を7から10に同調可変し,k.による電荷キャリア移動度変動の研究ができた。kを増加させるとデバイスの飽和移動度の65%減少が観察され,活性層と誘電体との界面におけるエネルギー不規則性が示唆され,バルク誘電体の高分極率により誘電性を変調できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  高分子半導体 ,  基板 ,  ゾル-ゲル法 ,  酸化膜 ,  プラズマ処理 ,  *キャリア移動度 ,  *誘電率 ,  ポリアセン ,  *二酸化ケイ素 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *シリカ ,  有機電界効果トランジスタ ,  屈曲性基板 ,  デバイス移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： ペンタセン ,  3-ヘキシルチオフェン

タイトルに関連する用語 (4件)： 屈曲性 ,  有機電界効果トランジスタ ,  移動度 ,  誘電率