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J-GLOBAL ID:200902227724376556   整理番号:06A0356385

III-V族窒化物半導体,GaN,AlN,およびInNの中の定常状態と過渡状態の電子移動: レビュー

Steady-State and Transient Electron Transport Within the III-V Nitride Semiconductors, GaN, AlN, and InN: A Review
著者 (4件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 87-126  発行年: 2006年02月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新しいエレクトロニクス・オプトエレクトロニクス素子の応用分野...
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  半導体結晶の電気伝導 

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