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J-GLOBAL ID：200902227724376556   整理番号：06A0356385

III-V族窒化物半導体,GaN,AlN,およびInNの中の定常状態と過渡状態の電子移動: レビュー

Steady-State and Transient Electron Transport Within the III-V Nitride Semiconductors, GaN, AlN, and InN: A Review

著者 (4件)： O’LEARY Stephen K. (Univ. Regina, Saskatchewan, CAN) ,  FOUTZ Brian E. (Cornell Univ., York, USA) ,  SHUR Michael S. (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  EASTMAN Lester F. (Cornell Univ., York, USA)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 17  号： 2  ページ： 87-126  発行年： 2006年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいエレクトロニクス・オプトエレクトロニクス素子の応用分野...

シソーラス用語： 窒化物 ,...
準シソーラス用語： 第3B族元素 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒化物半導体 ,  GaN ,  AlN ,  InN ,  定常状態 ,  過渡状態 ,  電子移動 ,  レビュー