TEOS/O<sub>2</sub>プラズマ中の粒子生成と捕獲挙動およびSiウェハの汚染に及ぼすそれらの効果

SETYAWAN H; SHIMADA M; HAYASHI Y; OKUYAMA K; YOKOYAMA S

文献

J-GLOBAL ID：200902227893322147 整理番号：04A0076877

TEOS/O₂プラズマ中の粒子生成と捕獲挙動およびSiウェハの汚染に及ぼすそれらの効果

Particle Formation and Trapping Behavior in a TEOS/O₂ Plasma and Their Effects on Contamination of a Si Wafer

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資料名：
巻： 38 号： 2 ページ： 120-127 発行年： 2004年02月
JST資料番号： H0030B ISSN： 0278-6826 CODEN： ASTYDQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体薄膜 , プラズマ一般

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TEOS/O2プラズマ中の粒子生成と捕獲挙動およびSiウェハの汚染に及ぼすそれらの効果

TEOS/O₂プラズマ中の粒子生成と捕獲挙動およびSiウェハの汚染に及ぼすそれらの効果