文献

J-GLOBAL ID：200902227971575405   整理番号：09A0434206

レーザー援用エアロゾルデポジション法による基材の熱ダメージを抑えた電子セラミックス厚膜の熱処理プロセス

Annealing Process without Thermal Damage of Substrate by Laser Annealing for Electronic Ceramics Thick Films Fabricated by Aerosol Deposition Technique

著者 (2件)： 馬場創 (産業技術総合研) ,  明渡純 (産業技術総合研)
資料名： 粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)
巻： 56  号： 4  ページ： 177-182  発行年： 2009年04月15日 
JST資料番号： F0691A  ISSN： 0532-8799  CODEN： FOFUA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レーザ焼なましの電子セラミックへの適用可能性について説明した。ステンレス鋼基板上にエアロゾル堆積法(AD)により堆積した10μm以上の厚みのPb(Zr,Ti)O₃膜(PZT/SUS)について強誘電特性,圧電特性の改善のために赤外線レーザ照射による焼なましを行った。レーザ焼なましを行った膜の残留分極(Pr)および抗電場(Er)値はそれぞれPr>40μC/cm²およびEr<40kV/cmであり,これらの値は電気炉での焼なましを行ったPZT/SUSより優れていた。照射したPZT膜の結晶粒粗大化領域はレーザスポットサイズと一致した。対照的にバルクPZTの場合には同じスポットサイズの赤外線レーザ照射で,より大きい領域(スポット径の20倍)で結晶粒粗大化が起きた。レーザ焼なましとAD手法との組合せは電子セラミックの製造および電子セラミックの必要な領域の熱処理に対して有望である。

シソーラス用語： *蒸着 ,  エアロゾル ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  ステンレス鋼 ,  *レーザアニーリング ,  エレクトロセラミック ,  *残留分極 ,  抗電場 ,  基板
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  *エアロゾルデポジション法 ,  レーザ焼なまし

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

引用文献 (18件)：

• 1) J. Akedo and M. Lebedev: "Microstructure and Electrical Properties of Lead Zirconate Titanate (Pb(Zr₅₂/Ti₄₈)O₃) Thick Films Deposited by Aerosol Deposition Method", Jpn. J. Appl. Phys., 38 (1999) 5397-5401.
• 2) S. Baba and J. Akedo: "Damage-Free and Short Annealing of Pb(Zr, Ti)O₃ Thick Films Directly Deposited on Stainless Steel Sheet by Aerosol Deposition with CO₂ Laser Radiation", J. Am. Ceram. Soc., 88 (2005) 1407-1410.
• 3) A. L. Schawlow and C. H. Townes: "Infrared and Optical Masers", Phys. Rev., 112 (1958) 1940-1949.
• 4) T. H. Maiman: "Stimulated Optical Radiation in Ruby", Nature, 187 (1960) 493-494.
• 5) K. Sakaike, S. Higashi, H. Murakami, and S. Miyazaki: "Crystallization of Amorphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Annealing", Thin Solid Films, 516 (2008) 3595-3600.

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザー ,  援用 ,  エアロゾルデポジション法 ,  ダメージ ,  電子セラミックス ,  厚膜 ,  熱処理プロセス