LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi<sub>2</sub>挿入による界面電気特性改善効果の実証

高島章; 西川幸江; 清水達雄; 鈴木正道; 松下大介; 吉木昌彦; 富田充裕; 山口豪; 小山正人; 福島伸

文献

J-GLOBAL ID：200902228526811162 整理番号：07A0724365

LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi₂挿入による界面電気特性改善効果の実証

Improvement of the electrical properties of La aluminates/Si (100) interface by insertion of one monolayer epitaxial SrSi₂

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巻： 107 号： 85(SDM2007 31-51) ページ： 65-70 発行年： 2007年05月31日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

high-k絶縁膜/Si基板界面における技術的課題である界面...

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金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (7件)：

SUZUKI, M. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005
MCKEE, R. A. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 3014
FORST, C. J. Nature. 2004, 427, 53
SCHIMIZU, T. Japanese patent, P2005-294564. 2005
TAKASHIMA, A. SSDM2006 Ext. Abstr. 214

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LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証

LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi₂挿入による界面電気特性改善効果の実証