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J-GLOBAL ID：200902228786042235   整理番号：05A1022841

静電容量とコンダクタンス測定における電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化で作製した酸化ゲルマニウム/ゲルマニウム界面の電気的挙動

Electrical Behavior of Germanium Oxide/Germanium Interface Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Oxidation in Capacitance and Conductance Measurements

著者 (3件)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  UENO Tomoo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRONO Shigeru (NTT AFTY Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 11  ページ： 7928-7930  発行年： 2005年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電容量とコンダクタンス測定に基づくGeO<sub>x</s...

シソーラス用語： 静電容量 ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (8件)：

• 1) H. Shang, H. Okorn-Schimdt, J. Ott, P. Kozlowski, S. Steen, E. C. Jones, H.-S. P. Wong and W. Hanesch: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 242.
• 2) C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, B. B. Triplett, P. C. McIntyre and K. C. Saraswat: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 437.
• 3) D. S. Yu, C. H. Huang, A. Chin, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 138.
• 4) A. Ritenour, S. Yu, M. L. Lee, N. Lu, W. Bai, A. Pitera, E. A. Fitzgerald, D. L. Kwong and D. A. Antoniadis: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 433.
• 5) Y. Fukuda, T. Ueno and S. Hirono: Ext. Abstr. 52nd Spring Meet. 2005, Japan Society of Applied Physics and Related Societies, 1a-ZB-3 [in Japanese].

タイトルに関連する用語 (9件)： 静電容量 ,  コンダクタンス ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  酸化 ,  作製 ,  酸化ゲルマニウム ,  ゲルマニウム ,  界面 ,  挙動