文献

J-GLOBAL ID：200902228945449732   整理番号：09A0455819

プラズマプロセスチャンバーにおける複合ガス種の分圧のパルス制御ガス注入による精密高速制御

Precise and high-speed control of partial pressures of multiple gas species in plasma process chamber using pulse-controlled gas injection

著者 (4件)： MORISHITA Sadaharu (EES Technol. Dep. of Technol., Dev. Center HQ, Industrial Automation Co., OMRON Corp., Tokyo 141-0032, JPN) ,  GOTO Tetsuya (New Ind. Creation Hatchery Center, Tohoku Univ., Sendai 980-8579, JPN) ,  NAGASE Masaaki (Osaka High-Tech Res. and Dev. Center, Fujikin Inc., Osaka 559-0031, JPN) ,  OHMI Tadahiro (New Ind. Creation Hatchery Center, Tohoku Univ., Sendai 980-8579, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 27  号： 3  ページ： 423  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高スループットの単一プラズマ処理における多重プロセスでは,複合ガス種の分圧を連続して高速で変更させる必要がある。従来型の給ガスシステムでは,ガス圧がバルブ操作直後に大きくオーバシュートし,このようなことは実現できない。さらに,チャンバー容積ならびにシステムとチャンバー間のガス配管のコンダクタンスによってガス圧の安定化時間に遅延が生じることも考慮されなければならない。筆者らはこれらの問題を解決すべく,圧測定によってガスフロー率を制御することでオーバシュートを無くし,さらにバルブ操作直後のパルス制御ガス注入法による新しい給ガスシステムを提案した。分圧の時間的変化の実測値は,チャンバーとシステムとチャンバー間のガス配管を表現する等価回路モデルに基づいて計算した結果とよく一致した。パルス制御ガス注入によって,安定化時間は純Arプラズマに付加したHBrで0.6秒,Ar/HBrプラズマに付加したO₂で0.7秒と大幅に短縮した。これらはパルス制御無しでは,各々3および7秒であった。O₂付加の場合,高速安定化はSiO₂薄膜上のポリSiの線/空間パターンエッチング過程において達成される。これは側壁近傍の下方SiO₂膜もしくはSi下地の異常エッチング無しに生じ,高スループットの広範囲のプロセスマージンが得られる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スループット ,  *プラズマ処理 ,  *分圧 ,  制御 ,  *圧力制御 ,  オーバシュート ,  時間依存性 ,  酸素 ,  *ポリシリコン ,  *エッチング
準シソーラス用語： パルス制御

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガス種 ,  分圧 ,  パルス ,  ガス注入 ,  高速制御