LIN T. D. について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan について
CHIU H. C. について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan について
CHANG P. について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan について
TUNG L. T. について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan について
CHEN C. P. について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan について
HONG M. について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan について
Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan について
TSAI W. について
Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd., Santa Clara, California 95052, USA について
WANG Y. C. について
WIN Semiconductors Corp., Taoyuan 33383, Taiwan について
Applied Physics Letters について
MOSFET について
ヒ化ガリウムインジウム について
化合物半導体 について
半導体薄膜 について
絶縁膜 について
酸化ガリウム について
酸化ガドリニウム について
チタン化合物 について
窒化物 について
電極 について
相互コンダクタンス について
移動度 について
ゲート絶縁膜 について
ゲート誘電体 について
窒化チタン について
トランジスタ について
半導体薄膜 について
酸化物薄膜 について
ゲート誘電体 について
Al2O3 について
Ga2O3 について
Gd2O3 について
高性能 について
自己整列 について
反転 について
チャネル について
酸化物 について
電界効果トランジスタ について