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J-GLOBAL ID：200902228986678509   整理番号：08A0781549

ゲート誘電体としてAl₂O₃/Ga₂O₃(Gd₂O₃)を有する高性能自己整列反転チャネルIn_0.53Ga_0.47As金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

High-performance self-aligned inversion-channel In_0.53Ga_0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor with Al₂O₃/Ga₂O₃(Gd₂O₃) as gate dielectrics

著者 (9件)： LIN T. D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHIU H. C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHANG P. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  TUNG L. T. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHEN C. P. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  HONG M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  KWO J. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  TSAI W. (Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd., Santa Clara, California 95052, USA) ,  WANG Y. C. (WIN Semiconductors Corp., Taoyuan 33383, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 3  ページ： 033516  発行年： 2008年07月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空堆積Al₂O₃/Ga₂O₃(Gd₂O₃)(GGO)二重層誘電体及びTiN金属ゲートを用いた,自己整列反転チャネルIn_0.53Ga_0.47As金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。Al₂O₃(2nm厚)/GGO(5nm厚)のゲート誘電体を用いたIn_0.53Ga_0.47As MOSFETに関して,1.05A/mmの最大ドレイン電流,714mS/mmの相互コンダクタンス,及び1300cm²/Vsのピーク移動度を達成した。これは,1μmゲート長のIII-V反転チャネル素子に関して今までに報告された最高のものであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  絶縁膜 ,  *酸化ガリウム ,  *酸化ガドリニウム ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  電極 ,  相互コンダクタンス ,  移動度 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  窒化チタン

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： ゲート誘電体 ,  Al2O3 ,  Ga2O3 ,  Gd2O3 ,  高性能 ,  自己整列 ,  反転 ,  チャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ