FOSSARD Frederic について
Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA について
BOULMER Jacques について
Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA について
DEBARRE Dominique について
Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA について
PERROSSIER Jean-luc について
Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA について
BACHELET Cyril について
Centre de Spectroscopie Nucleaire et de Spectroscopie de Masse, IN2P3-CNRS, Orsay F-91405, FRA について
FORTUNA Franck について
Centre de Spectroscopie Nucleaire et de Spectroscopie de Masse, IN2P3-CNRS, Orsay F-91405, FRA について
MATHET Veronique について
Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA について
BOUCHIER Daniel について
Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA について
Applied Physics Letters について
化合物半導体 について
ケイ素化合物 について
ゲルマニウム化合物 について
ケイ素 について
多層 について
基板 について
ドーピング について
パルスレーザ照射 について
レーザ融解 について
化学合成 について
結晶成長 について
X線回折 について
結晶構造 について
Rutherford後方散乱 について
キャラクタリゼーション について
格子歪 について
マトリックス【母体】 について
仮像 について
再成長 について
半導体薄膜 について
気体 について
浸漬 について
レーザドーピング について
仮像 について
SiGe について
Si について
層 について