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J-GLOBAL ID:200902229264856875   整理番号:03A0486763

パルスレーザ堆積による石英上のc軸配向GaN膜の成長

Growth of c-axis oriented GaN films on quartz by pulsed laser deposition.
著者 (3件):
資料名:
巻: 23  号: 1/2  ページ: 15-20  発行年: 2003年07月 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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大面積で低原価のオプトエレクトロニックデバイスの開発のため,...
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  レーザ照射・損傷 
タイトルに関連する用語 (5件):
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