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J-GLOBAL ID：200902229264856875   整理番号：03A0486763

パルスレーザ堆積による石英上のc軸配向GaN膜の成長

Growth of c-axis oriented GaN films on quartz by pulsed laser deposition.

著者 (3件)： WANG R-P (AIST, Nagoya, JPN) ,  MUTO H (AIST, Nagoya, JPN) ,  KUSUMORI T (AIST, Nagoya, JPN)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 23  号： 1/2  ページ： 15-20  発行年： 2003年07月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積で低原価のオプトエレクトロニックデバイスの開発のため,...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ堆積 ,  石英 ,  c軸配向 ,  GaN ,  成長