Pr系充填スクッテルダイト型化合物PrOs<sub>4</sub>P<sub>12</sub>のFermi面

SUGAWARA H.; IWAHASHI Y.; MAGISHI K.; SAITO T.; KOYAMA K.; HARIMA H.; KIKUCHI D.; SATO H.; ENDO T.; SETTAI R.; ONUKI Y.

文献

J-GLOBAL ID：200902229495080373 整理番号：09A0231541

Pr系充填スクッテルダイト型化合物PrOs₄P₁₂のFermi面

Fermi surface of the Pr-based filled skutterudite compound PrOs₄P₁₂

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資料名：
巻： 79 号： 3 ページ： 035104.1-035104.5 発行年： 2009年01月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Pr系充填スクッテルダイト型化合物PrOs₄P₁₂とその参照化合物LaOs₄P₁₂のFermi面特性をde Haas-van Alphen実験とバンド構造計算により調べた。Pr系のFermi面トポロジーはLa系の場合に近いことから,Pr系の4f電子は局在性であることが分った。4f電子は局在性であるが,Pr系のサイクロトロン有効質量は最高18m₀と高いことが分った。これはLa系の場合より約3.8倍高い。Pr系のFermi面はq=(1,0,0)にネスティング特性がないことを確かめた。これは低温で異常な秩序状態を見せるPrFe₄P₁₂やPrRu₄P₁₂が良好なネスティング特性になるのと対照的である。異常な相転移が起こる上で4f電子の寄与とFermi面ネスティング特性の役割を論じた。

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金属結晶の電子構造 , その他の無機化合物の磁性

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Pr系充填スクッテルダイト型化合物PrOs4P12のFermi面

Pr系充填スクッテルダイト型化合物PrOs₄P₁₂のFermi面