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J-GLOBAL ID：200902229570316019   整理番号：09A0480167

MBE-ZnTe/GaAsの水素による表面処理

Surface Treatment with Hydrogen of MBE-ZnTe/GaAs

著者 (8件)： 共佳 (北海道工大 大学院) ,  一戸善弘 (北海道工大 大学院) ,  本間一臣 (北海道工大 大学院) ,  今井和明 (北海道工大) ,  澤田孝幸 (北海道工大) ,  鈴木和彦 (北海道工大) ,  木村信行 (北海道工大) ,  木村尚仁 (北海道工大)
資料名： 北海道工業大学研究紀要  (Memoirs of the Hokkaido Institute of Technology)
号： 37  ページ： 279-283  発行年： 2009年03月24日 
JST資料番号： Y0585A  ISSN： 0385-0862  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ZnTe単結晶基板表面の酸化膜を除去するために,クラッキング水素を基板表面に照射する方法を述べた。この方法は,MBE成長室内においてW線に通電することにより発生させたクラッキング水素を基板に照射するものである。GaAs基板上に堆積したZnTe表面に酸化膜を作製し,これを擬似ZnTe単結晶基板と見なした。この擬似基板に水素処理を施した後,ZnTeを再結晶させ,ZnTe膜の表面状態及び結晶性を比較し,水素処理の効果を検証した。処理中に,基板温度を上げることにより,水素処理効果が上がることが分かった。基板温度が低くても,処理時間を延ばすことにより,効果があることが分かった。

シソーラス用語： *テルル化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  酸化膜 ,  除去 ,  水素 ,  再結晶 ,  結晶度 ,  基板温度
準シソーラス用語： *結晶性 ,  *表面状態

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE ,  ZnTe ,  GaAs ,  水素 ,  表面処理