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J-GLOBAL ID：200902229838337707   整理番号：09A0691574

有機単結晶発光トランジスタの高い移動度と発光効率

High Mobility and Luminescent Efficiency in Organic Single-Crystal Light-Emitting Transistors

著者 (10件)： BISRI Satria Zulkarnaen (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  YOMOGIDA Yohei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMOTANI Hidekazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMOTANI Hidekazu (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  YAMAO Takeshi (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  HOTTA Shu (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 19  号： 11  ページ： 1728-1735  発行年： 2009年06月09日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電特性の探査だけでなくナノ/ミクロ有機光電子工学デバイスへの新規応用が可能な有機発光トランジスタ(OLET)について,α,ω-ビス(ビフェニリル)テルチオフェン(BP3T)単結晶から成る両極性LETの性能と自己導波端部発光を報告した。公知の方法で合成したBP3T粉末から物理蒸気輸送法(昇華温度:365°C)でmm寸法の単結晶を調製した(平均肉厚:276nm,AFM測定)。SiO₂/n-Siウエハ表面にPMMA緩衝薄層をスピンコートした基板に単結晶を静電力ではりつけてトップコンタクト型両極性FET/LETを作製した。正孔及び電子移動度,材料PL効率などを測定し,文献のデータと比較した。これまでの報告とは異なる結晶両端のみでの発光の解明のため,同時電気測定が可能なCCDカメラ装着傾斜光学顕微鏡を用い,暗N₂充填グローブボックス中で自己導波端部発光を測定した。また,チャネルの長さと幅を変えた構成の両極性LETを作製し,電界発光(EL)スペクトル(578及び616nmピーク)を一部はドレイン電流を変えて測定した。ELは単結晶チャネル内部に閉込められ,端部だけから発光すること,電流密度依存スペクトル発展がみられること,この結果は電気起動有機レーザの有望な方法の提供を示唆することなどが分かった。

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *単結晶 ,  *窒素複素環化合物 ,  結晶成長 ,  昇華 ,  極性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性 ,  *キャリア移動度 ,  光ルミネセンス ,  発光 ,  端部 ,  閉込め ,  光学顕微鏡 ,  *エレクトロルミネセンス ,  発光スペクトル ,  依存性 ,  *エネルギー変換効率 ,  正孔移動度 ,  電子移動度 ,  *発光効率 ,  両極性
準シソーラス用語： 自己導波端部発光 ,  電流密度依存性 ,  物理蒸気輸送法 ,  *有機発光トランジスタ

分類 (4件)： 発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A)

物質索引 (1件)： α,ω-ビス(ビフェニリル)テルチオフェン

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶 ,  発光トランジスタ ,  移動度 ,  発光効率