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J-GLOBAL ID：200902230079271311   整理番号：07A0689718

hp65SOC LOP応用のためのデュアルコア酸窒化シリコン(SiON)技術を活用した酸素過剰の界面(OI-SiN)を有する(SiN)ゲート誘電体

SiN Gate Dielectric with Oxygen-enriched Interface (OI-SiN) Utilizing Dual-core-SiON Technique for hp65-SoC LOP Application

著者 (9件)： TSUJIKAWA Shimpei (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  UMEDA Hiroshi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  HAYASHI Takashi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  OHNISHI Kazuhiro (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIGA Katsuya (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  KAWASE Kazumasa (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  YUGAMI Jiro (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  YOSHIMURA Hidefumi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  YONEDA Masahiro (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2006 Vol.2  ページ： 918-921  発行年： 2006年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナイトライド(SiN)ベースのゲート絶縁膜は,それを...

シソーラス用語： *絶縁膜 ,...
準シソーラス用語： NBTI ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (11件)： 応用 ,  デュアル ,  コア ,  酸窒化 ,  シリコン ,  SiON ,  活用 ,  酸素過剰 ,  界面 ,  SiN ,  ゲート誘電体