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J-GLOBAL ID：200902230121454545   整理番号：05A0450508

分子線エピタクシーによるN極性GaN上へのInN量子ドットの成長

Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy

著者 (5件)： YOSHIKAWA A. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HASHIMOTO N. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KIKUKAWA N. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  CHE S. B. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  ISHITANI Y. (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 86  号： 15  ページ： 153115.1-153115.3  発行年： 2005年04月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでにMBE(分子線エピタクシー)成長によるInN QD...

シソーラス用語： *量子ドット ,...
準シソーラス用語： Stranski-Kastanov成長モード ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子線エピタクシー ,  極性 ,  GaN ,  InN ,  量子ドット ,  成長